第2回CDMSI(ポスト「京」重点課題（7）)研究会
【開催趣旨】
CDMSI内外の参加者の方々と、先端的な物質科学計算に関する研究の進捗を共有し、協創を促します。また、産業界からコメントや要望をいただき、よりよい方向へ研究を推進していきたいと考えております。
【開催要項】
日 時： 2017年7月11日（火）13:00-18：00 ～12日（水） 9:30-16:35
会 場： 東京大学 小柴ホール（本郷キャンパス・理学部1号館）
参加費： 無料
参加登録締切： 2017年6月30日（金） 厳守
意見交換会（Banquet）： ルヴェソンヴェール本郷 （会費：5,000円／学生：3,000円）
＊意見交換会参加費は当日、研究会受付時にお支払ください。
事前の参加登録は締め切らせて頂きました。当日、会場に直接お越しください。
【発表について】
・ポスター発表・口頭発表のスライドの標記は、英語でお願いします。
・口頭発表言語：日本語or英語
【旅費】
ポスト「京」重点課題（7）の各サブ課題協力者の方に対して、旅費を支給いたします。
【プログラム】
※プログラムは予告なく変更になる場合がありますのでご了解ください。
| 2017年7月11日（火） | ||
|---|---|---|
| 12:00−13:00 | 受付 Registration |
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| 13:00-13:05 |
開会のご挨拶
Opening Remarks 重点課題(7)代表者：常行 真司（東大）／文部科学省> Shinji Tsuneyuki, The University of Tokyo / Minitry of Education, Culture, Sports, Science and Technology |
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| 13:05-13:10 | B1 【サブ課題Ｂ】 光・電子融合デバイス 代表者発表 - Sub Issue B: Unified Photonic-Electronic Devices - |
信定 克幸（分子研） Katsuyuki Nobusada, Institute for Molecular Science |
| 13:10-13:30 | B2 シリコン半導体の近接場光励起における波数間遷移の解析 An analysis of transitions between different wave vectors in optical near field excitation of silicon semiconductors |
野田 真史（分子研） Masashi Noda, Institute for Molecular Science |
| 13:30-13:50 | B3 ナノ構造体に対する高強度パルス光励起ダイナミクスの大規模計算 Large-Scale Electron Dynamics Calculation in Optically Excited Nanoscale Material |
植本 光治（筑波大） Mitsuharu Uemoto, University of Tsukuba |
| 13:50-13:55 |
D1 【サブ課題Ｄ】 高性能永久磁石・磁性材料 代表者発表 |
三宅 隆（産総研） |
| 13:55-14:15 | D2 第一原理に基づく有限温度における結晶磁気異方性の計算 First-principles based calculation of magnetocrystalline anisotropy at finite temperature |
土居 抄太郎（東大物性研） Shotaro Doi, The University of Tokyo |
| 14:15-14:35 | D3 スピン模型によるNd2Fe14B磁石の磁気異方性に関する有限温度特性の解析 Monte Carlo analysis for finite temperature magnetism of Nd2Fe14B magnet |
栂 裕太（NIMS) Yuta Toga, NIMS |
| 14:35-14:55 | D4 第一原理計算によるネオジム磁石粒界相の構造及び磁性探索 Investigation of Structure and Magmetism of Grain Boundary Phase in Nd-Fe-B Sintered Magnets |
寺澤 麻子（東工大） Asako Terasawa, Tokyo Institute of Technology |
| 14:55-15:10 | ・・・・・Coffee Break・・・・・ | |
| 15:10-15:22 |
E1 【サブ課題Ｅ】 高信頼性構造材料 代表者発表 |
香山 正憲（産総研関西） |
| 15:22-15:35 | E2 鉄合金中の侵入型元素と転位の大規模第一原理計算 Large-scale first principles calculation of the interstitial elements and dislocation in iron alloys |
譯田 真人（物材機構） Masato Wakeda, NIMS |
| 15:35-15:55 | E3 第一原理計算から粗視化モデルへのマッピング手法の開発 Development of First-Principles Mapping Methods to Coarse Grained Models |
大野 かおる（横浜国立大） Kaoru Ohno, Yokohama National University |
| 15:55-16:15 | E4 大規模Phase Field法計算の実行 Large-scale phase-field simulations |
大野 宗一（北大工） Munekazu Ohno,Munekazu Ohno |
| 16:15-16:25 | WG委員からのコメント Comments from Working Group |
栗原 和枝（東北大） Kazue Kurihara, Tohoku University |
| 16:25-18:00 | ポスターセッション Poster Session |
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| 18:15-20:00 | 意見交換会（ル ヴェソンヴェール本郷／フォーレスト本郷内） Informal Session @ Le Verson Verre Tokyo |
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| 2017年7月12日（水） | ||
| 9:00-9:30 | 受付 Registration |
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| 9:30-9:35 |
A1 【サブ課題Ａ】 高機能半導体デバイス 代表者発表 |
押山 淳（東大院工） Atsushi Oshiyama, The University of Tokyo |
| 9:35-9:55 | A2 RSDFTの新機能開発とデバイスシミュレーションへの展開：シリセンおよびシリコンナノワイヤへの応用 Development of new functions of RSDFT and development toward device simulation: applications to silicone and silicon nanowire |
岩田 潤一（東大院工） Jun-Ichi Iwata, The University of Tokyo |
| 9:55-10:15 |
A3 RSDFTによるGaN表面反応解析、およびRSCPMDのGPU実装 |
Bui Thi Kien My（筑波大） Bui Thi Kien My, University of Tsukuba |
| 10:15-10:35 |
A4 新材料・新構造デバイス特性解析のための量子流体輸送シミュレータの開発 |
鍾菁廣（阪大院工） Shohiro Sho, Osaka University |
| 10:35-10:50 | ・・・・・Coffee Break・・・・・ | |
| 10:50-10:55 |
F1 【サブ課題Ｆ】 次世代機能性化学品 代表者（代理）発表 |
尾形 修二（名工大） |
| 10:55-11:15 | F2 高分子混合系の相溶性評価に向けた全原子MD手法の開発 Development of the method of all-atom simulation for the evaluation of solubility in polymer mixture systems |
山田 一雄（阪大基礎工） Kazuo Yamada, Osaka University |
| 11:15-11:35 | F3 高分子修飾基板表面-液体間の界面自由エネルギー計算 Calculation of Interfacial Free Energy between Polymer-Grafted Substrate and Liquid |
浦長瀬 正幸（名工大） Masayuki Uranagase, Nagoya Institute of Technology |
| 11:35-13:00 | ・・・・・Lunch Time・・・・・ | |
| 13:00-13:30 | 【招待講演/Invited Speaker】 連続体と分子モデルを繋いだ心拍動シミュレーション Bridging Continuum and Molecular Models in a Beating Heart Simulation |
鷲尾 巧（東大/UT-Heart研究所） Takumi Washio, The University of Tokyo/UT-Heart Inc. |
| 13:30-13:35 |
C1 【サブ課題Ｃ】 超伝導・新機能デバイス材料 代表者発表 |
今田 正俊（東大院工） |
| 13:35-13:55 |
C2 レーザーを用いた相関電子系における超伝導の制御 |
井戸康太（東大院工） Kota Ido, The University of Tokyo |
| 13:55-14:15 |
C3 テンソルネットワーク法によるキタエフスピン液体の探求 |
大久保毅（東大院理） Tsuyoshi Okubo, The University of Tokyo |
| 14:15-14:30 | ・・・・・Coffee Break・・・・ | |
| 14:30-14:35 |
G1 【サブ課題Ｇ】 共通基盤シミュレーション手法 |
尾崎 泰助（東大物性研） |
| 14:35-14:55 |
G2 First-principles studies of photoelectron spectroscopy by OpenMX codes |
Chi-Cheng Lee（東大物性研） |
| 14:55-15:15 |
G3 第一原理状態図計算手法の開発 |
陳迎（東北大） Ying Chen, Tohoku University |
| 15:15-15:35 |
G4 経路確率法と自由度の変換 |
山田亮 |
| 15:35-15:55 |
G5 Xeon Phiに対する対称行列積DSYRKの高性能実装 |
工藤周平（電通大） |
| 15:55-16:15 |
ⅴ）G6 K3Cu3AlO2(SO4)4の非弾性中性子散乱の解析 |
森田克洋（東京理科大） Katsuhiro Morita, Tokyo University of Science |
| 15:55-16:15 |
諮問委員からのコメント |
秋光純（岡山大学） Jun Akimitsu, Okayama University 幾原雄一（東京大学） Yuichi Ikuhara, The University of Tokyo 福間雅夫（エムサイエンス研究所） Masai Fukuma, m-Science Lab |
- ※講演時間と質疑応答時間
30分講演の場合－発表25分、質疑応答5分
20分講演の場合－発表16分、質疑応答4分
【会議・委員会の開催】
| 7月11日（火）10:00-11:30 | 平成29年度第1回企画メンバー会議（東京大学理学部1号館2階231号室） |
| 7月12日（水）16:40-18:10 | 平成29年度第1回諮問委員会（東京大学理学部1号館2階231号室） |
【お問い合わせ】
東京大学 物性研究所 計算物質科学研究センター(ISSP-CCMS)
〒277-8581 千葉県柏市柏の葉5-1-5
TEL 047-7136-3279/ FAX 047-7136-3441
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