新機能デバイス・高性能材料のための産官学連携フォーラム 第２回会合
作者: shimoshikiryo
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最終変更
2016年11月22日 15時02分
ポスト「京」プロジェクト重点課題（７） 「次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成」では、応用研究・開発への展開を目指し、「新機能デバイス・高性能材料のための産官学連携フォーラム」を立ち上げております。5月30日に開催されました第1回会合に引き続き、以下の要領で第2回会合を開催いたします。
第２回会合は、半導体デバイスにフォーカスして、ポスト「京」プロジェクト側のシミュレーションの仕事と、ポスト「京」プロジェクト以外からの実験のお仕事、さらには産業界でのデバイス開発の状況と計算・シミュレーションへの期待などについて、率直なディスカッションができればと考えております。プログラムは下記のようになっております。
事前登録をお願い申し上げます（当日参加も可能です）。
【開催概要】
日 時： 11月14日 （月） 13:00 - 18:40
会 場： 東京大学本郷キャンパス工学部6号館3階 367・373号室（セミナー室 A・D）
懇談会： プログラムの終了後、懇談会を開催します。懇談会に参加される方は、11月10日中に参加申し込み下さい。
【参加申込】
本イベントは終了しました。 http://post-k.cms-initiative.jp/events/regist/forum20161114/view
【旅費・交通費】
申し訳ございませんが、一般参加者の方への旅費支給は行っておりません。
【プログラム】 (敬称略）
| 13:00 - 13:20 | RSDFTによるHigh Performance Computing と半導体材料への応用 | 岩田 潤一（東京大学） |
| 13:20 - 14:00 |
非平衡グリーン関数法と第一原理RSDFT法によるナノワイヤトランジスタのデバイスシミュレーション
|
森 伸也，美里劫 夏南 （大阪大学），岩田 潤一，押山 淳（東京大学） |
| 14:00 - 14:20 | 量子流体モデルによる新材料・新構造MOSFETシミュレーション | 鍾 菁廣、小田中 紳二 （大阪大学） |
| 14:20 - 15:00 | 研究開発とシミュレーション （仮題） | 福島 伸 （東芝） |
| 15:00 - 15:10 | Break | |
| 15:10 - 15:30 | SiC酸化と界面欠陥シミュレーション | 松下 雄一郎 （東京大学 |
| 15:30 - 16:10 | SiC半導体：材料・デバイス研究の現状と計算科学への期待 | 木本 恒暢（京都大学） |
| 16:10 - 16:30 | ディスカッション | |
| 16:30 - 17:00 | GaN MOVPE成長：第一原理計算と流体力学のマルチフィジックス・マルチスケールシミュレーションによる融合 | 白石 賢二 （名古屋大学） |
| 17:00 - 17:40 | THVPEによるInGaNおよびGaN成長 | 纐纈 明伯 （東京農工大学） |
| 17:40 - 18:20 | 窒化物半導体：材料・デバイス研究の現状と計算科学への期待 | 葛原 正明 （福井大学） |
| 18:20 - 18:40 | ディスカッション | |
| 18:45 - 20:30 | 懇談会 |
|
【参加企業募集中】
「新機能デバイス・高性能材料のための産官学連携フォーラム」設立趣意書
参加をご希望される企業の方は下記にご連絡ください。
【お問い合わせ】
東京大学大学院工学系研究科
新機能デバイス・高性能材料のための産官学連携フォーラム事務局
受付窓口：東京大学 物性研究所 計算物質科学研究センター(ISSP-CCMS)
〒277-8581 千葉県柏市柏の葉 5-1-5
TEL 04(7136)3279 / FAX 04(7136)3441
email adm-office[at]cms-initiative.jp
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