研究内容

作者: admin — 最終変更 2016年10月27日 10時23分

◆社会的・国家的意義

  • 省エネ社会の基盤構築SiC,GaNパワエレ

◆目標・期待される成果

  • SiC等デバイス欠陥制御で特性向上に貢献
  • FET等のポストシリコンデバイスに向けた新材料提案とデバイス設計に貢献

◆実施内容

  • 量子論デバイス創製シミュレータ開発

◆「京」実績とポスト「京」の必要性

  • ｢京」：10万原子のシリコンデバイス電子状態
  • ポスト「京」：界面・非周期構造を含む10万原子クラスの計算で構造とデバイス特性予測

◆実施体制

  • 炭素Pj(NEDO)、TIA(内閣府)、元素戦略Pj電子材材料拠点(文科省)、産応協と連携・協力