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サブ課題(a)高機能半導体デバイス

作者: admin 最終変更 2016年10月28日 16時59分

研究内容

作者: admin 最終変更 2016年10月27日 10時23分

◆社会的・国家的意義

  • 省エネ社会の基盤構築SiC,GaNパワエレ

◆目標・期待される成果

  • SiC等デバイス欠陥制御特性向上に貢献
  • FET等のポストシリコンデバイスに向けた新材料提案デバイス設計に貢献

◆実施内容

  • 量子論デバイス創製シミュレータ開発

◆「京」実績とポスト「京」の必要性

  • 「京」:10万原子のシリコンデバイス電子状態
  • ポスト「京」:界面・非周期構造を含む10万原子クラスの計算で構造とデバイス特性予測

◆実施体制

  • 炭素Pj(NEDO)、TIA(内閣府)、元素戦略Pj電子材材料拠点(文科省)、産応協と連携・協力

業務参加者・協力者

作者: admin 最終変更 2017年05月31日 14時10分

・業務参加者

東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 押山淳
東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 岩田潤一
東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 Wang Jingying
筑波大学 計算科学研究センター 生命科学研究部門 重田育照
筑波大学 計算科学研究センター 量子物性研究部門 小野倫也
筑波大学 計算科学研究センター 大学院システム情報工学研究科 コンピュータサイエンス専攻 朴泰祐
筑波大学 計算科学研究センター 大学院システム情報工学研究科 コンピュータサイエンス専攻 高橋大介
筑波大学 計算科学研究センター 大学院システム情報工学研究科 コンピュータサイエンス専攻
Bui Thi Kieu My
大阪大学 サイバーメディアセンター コンピュータ実験科学研究部門 小田中紳二
大阪大学 サイバーメディアセンター コンピュータ実験科学研究部門 鍾菁廣
大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 森伸也
大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 美里劫夏南
東京大学 大学院理学系研究科 物理学専攻 常行真司

 

・協力者

東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 松下雄一郎
東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 ENKHTAIVAN BATNYAM
東京大学 大学院工学系研究科 押山研究室(研究) 奥澤浩未
筑波大学 システム情報系 櫻井鉄也
物質・材料研究機構 理論計算科学ユニット 量子物性シミュレーショングループ 宮崎剛
Strasbourg大学物質材料研究所(IPCMS UMR4504 CNRS) Mauro Boero
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 天野浩
名古屋大学 未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター 白石賢二
名古屋大学 未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター 芳松克則
名古屋大学 未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター 洗平昌晃
理化学研究所 計算科学研究機構 今村俊幸
筑波大学 数理物質系 佐野伸行
筑波大学 数理物質系 植田暁子
京都工芸繊維大学 大学院工芸科学研究科 廣木彰
大阪大学 大学院工学研究科 鎌倉良成