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第2回CDMSI(ポスト「京」重点課題(7))研究会

作者: 下敷領恵美 最終変更 2017年07月10日 17時52分
[開催日時]2017年7月11日(火)~7月12日(水) [会場]東京大学 小柴ホール/本郷キャンパス
日時 2017年07月11日 13時00分 から
2017年07月12日 16時35分
場所 東京大学理学部1号館 小柴ホール
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【開催趣旨】

CDMSI内外の参加者の方々と、先端的な物質科学計算に関する研究の進捗を共有し、協創を促します。また、産業界からコメントや要望をいただき、よりよい方向へ研究を推進していきたいと考えております。


【開催要項】

日 時: 2017年7月11日(火)13:00-18:00 ~12日(水) 9:30-16:35
会 場: 東京大学 小柴ホール(本郷キャンパス・理学部1号館) 
参加費: 無料 
参加登録締切: 2017年6月30日(金) 厳守
意見交換会(Banquet): ルヴェソンヴェール本郷 (会費:5,000円/学生:3,000円) 
*意見交換会参加費は当日、研究会受付時にお支払ください。

事前の参加登録は締め切らせて頂きました。当日、会場に直接お越しください。

【発表について】

・ポスター発表・口頭発表のスライドの標記は、英語でお願いします。
・口頭発表言語:日本語or英語

 

【旅費】

ポスト「京」重点課題(7)の各サブ課題協力者の方に対して、旅費を支給いたします。


【プログラム】

※プログラムは予告なく変更になる場合がありますのでご了解ください。

2017年7月11日(火)
12:00−13:00 受付
Registration
13:00-13:05
開会のご挨拶
Opening Remarks
重点課題(7)代表者:常行 真司(東大)/文部科学省>
Shinji Tsuneyuki, The University of Tokyo / Minitry of Education, Culture, Sports, Science and Technology
13:05-13:10 B1 【サブ課題B】 光・電子融合デバイス 代表者発表
- Sub Issue B: Unified Photonic-Electronic Devices -
信定 克幸(分子研)
Katsuyuki Nobusada, Institute for Molecular Science
13:10-13:30 B2 シリコン半導体の近接場光励起における波数間遷移の解析
An analysis of transitions between different wave vectors in optical near field excitation of silicon semiconductors
野田 真史(分子研)
Masashi Noda, Institute for Molecular Science
13:30-13:50 B3 ナノ構造体に対する高強度パルス光励起ダイナミクスの大規模計算
Large-Scale Electron Dynamics Calculation in Optically Excited Nanoscale Material
植本 光治(筑波大)
Mitsuharu Uemoto, University of Tsukuba
13:50-13:55

D1 【サブ課題D】 高性能永久磁石・磁性材料 代表者発表
- Syub Issue D: High-performance permanent magnets and magnetic materials

三宅 隆(産総研)
Takashi Miyake, AIST

13:55-14:15 D2 第一原理に基づく有限温度における結晶磁気異方性の計算
First-principles based calculation of magnetocrystalline anisotropy at finite temperature
土居 抄太郎(東大物性研)
Shotaro Doi, The University of Tokyo
14:15-14:35 D3 スピン模型によるNd2Fe14B磁石の磁気異方性に関する有限温度特性の解析
Monte Carlo analysis for finite temperature magnetism of Nd2Fe14B magnet
栂 裕太(NIMS)
Yuta Toga, NIMS
14:35-14:55 D4 第一原理計算によるネオジム磁石粒界相の構造及び磁性探索
Investigation of Structure and Magmetism of Grain Boundary Phase in Nd-Fe-B Sintered Magnets
寺澤 麻子(東工大)
Asako Terasawa, Tokyo Institute of Technology
14:55-15:10 ・・・・・Coffee Break・・・・・
15:10-15:22

E1 【サブ課題E】 高信頼性構造材料 代表者発表
- Sub Issue E: Advanced Structural Materials

香山 正憲(産総研関西)
Masanori Kohyama, AIST

15:22-15:35 E2 鉄合金中の侵入型元素と転位の大規模第一原理計算
Large-scale first principles calculation of the interstitial elements and dislocation in iron alloys
譯田 真人(物材機構)
Masato Wakeda, NIMS
15:35-15:55 E3 第一原理計算から粗視化モデルへのマッピング手法の開発
Development of First-Principles Mapping Methods to Coarse Grained Models
大野 かおる(横浜国立大)
Kaoru Ohno, Yokohama National University
15:55-16:15 E4 大規模Phase Field法計算の実行
Large-scale phase-field simulations
大野 宗一(北大工)
Munekazu Ohno,Munekazu Ohno
16:15-16:25 WG委員からのコメント
Comments from Working Group
栗原 和枝(東北大)
Kazue Kurihara, Tohoku University
16:25-18:00 ポスターセッション
Poster Session
18:15-20:00 意見交換会(ル ヴェソンヴェール本郷/フォーレスト本郷内)
Informal Session @ Le Verson Verre Tokyo
2017年7月12日(水)
9:00-9:30 受付
Registration
9:30-9:35

A1 【サブ課題A】 高機能半導体デバイス 代表者発表
- Sub Issue A:New-functionality and high-performance semiconductor devices

押山 淳(東大院工)
Atsushi Oshiyama, The University of Tokyo
9:35-9:55 A2 RSDFTの新機能開発とデバイスシミュレーションへの展開:シリセンおよびシリコンナノワイヤへの応用
Development of new functions of RSDFT and development toward device simulation: applications to silicone and silicon nanowire
岩田 潤一(東大院工)
Jun-Ichi Iwata, The University of Tokyo
9:55-10:15

A3 RSDFTによるGaN表面反応解析、およびRSCPMDのGPU実装
First principle analysis of ammonia adsorption and desorption on GaN surface and performance of a GPU version of RSCPMD

Bui Thi Kien My(筑波大)
Bui Thi Kien My, University of Tsukuba
10:15-10:35

A4 新材料・新構造デバイス特性解析のための量子流体輸送シミュレータの開発
Development of a quantum hydrodynamic transport simulator for analysis of device characteristics of new channel materials and structures

鍾菁廣(阪大院工)
Shohiro Sho, Osaka University
10:35-10:50 ・・・・・Coffee Break・・・・・
10:50-10:55

F1 【サブ課題F】 次世代機能性化学品 代表者(代理)発表
- Sub Issue F:Next-generation functional chemical substance

尾形 修二(名工大)
Shuji Ogata, Nagoya Institute of Technology

10:55-11:15 F2 高分子混合系の相溶性評価に向けた全原子MD手法の開発
Development of the method of all-atom simulation for the evaluation of solubility in polymer mixture systems
山田 一雄(阪大基礎工)
Kazuo Yamada, Osaka University
11:15-11:35 F3 高分子修飾基板表面-液体間の界面自由エネルギー計算
Calculation of Interfacial Free Energy between Polymer-Grafted Substrate and Liquid
浦長瀬 正幸(名工大)
Masayuki Uranagase, Nagoya Institute of Technology
11:35-13:00 ・・・・・Lunch Time・・・・・
13:00-13:30 【招待講演/Invited Speaker】
連続体と分子モデルを繋いだ心拍動シミュレーション
Bridging Continuum and Molecular Models in a Beating Heart Simulation
鷲尾 巧(東大/UT-Heart研究所)
Takumi Washio, The University of Tokyo/UT-Heart Inc.
13:30-13:35

C1 【サブ課題C】 超伝導・新機能デバイス材料 代表者発表
Superconductor and new functional devices and materials

今田 正俊(東大院工)
Masatoshi Imada, The University of Tokyo

13:35-13:55

C2 レーザーを用いた相関電子系における超伝導の制御
Control of superconductivity in correlated electron system by laser irradiation

井戸康太(東大院工)
Kota Ido, The University of Tokyo
13:55-14:15

C3 テンソルネットワーク法によるキタエフスピン液体の探求
Search of Kitaev spin liquid by tensor network method

大久保毅(東大院理)
Tsuyoshi Okubo, The University of Tokyo
14:15-14:30 ・・・・・Coffee Break・・・・
14:30-14:35

G1 【サブ課題G】 共通基盤シミュレーション手法
- Sub Issue G: Fundamental Technologies for Materials Science Simulation

尾崎 泰助(東大物性研)
Taisuke Ozaki, The University of Tokyo

14:35-14:55

G2 First-principles studies of photoelectron spectroscopy by OpenMX codes

Chi-Cheng Lee(東大物性研)
Chi-Cheng Lee, The University of Tokyo

14:55-15:15

G3 第一原理状態図計算手法の開発
Development of Method for First-principles Phase Diagram Calculation

陳迎(東北大)
Ying Chen, Tohoku University
15:15-15:35

G4 経路確率法と自由度の変換
Path Probability Method with path variables transformed to configurational freedom

山田亮
Ryo Yamada, Virginia Polytechnic Institute and State University
毛利哲夫(東北大)
Tetsuo Mohri, Tohoku University

15:35-15:55

G5 Xeon Phiに対する対称行列積DSYRKの高性能実装
High-performance implementation of DSYRK, the symmetric matrix multiplication subroutine, on Xeon Phi

工藤周平(電通大)
Shuhei Kudo, The University of Electro-Communications

15:55-16:15

ⅴ)G6 K3Cu3AlO2(SO4)4の非弾性中性子散乱の解析
Analysis of inelastic neutron scattering of K3Cu3AlO2(SO4)4

森田克洋(東京理科大)
Katsuhiro Morita, Tokyo University of Science
15:55-16:15

諮問委員からのコメント
Comments from Advisory Committee

秋光純(岡山大学)
Jun Akimitsu, Okayama University
幾原雄一(東京大学)
Yuichi Ikuhara, The University of Tokyo
福間雅夫(エムサイエンス研究所)
Masai Fukuma, m-Science Lab
※講演時間と質疑応答時間
30分講演の場合-発表25分、質疑応答5分
20分講演の場合-発表16分、質疑応答4分

【会議・委員会の開催】

7月11日(火)10:00-11:30 平成29年度第1回企画メンバー会議(東京大学理学部1号館2階231号室)
7月12日(水)16:40-18:10 平成29年度第1回諮問委員会(東京大学理学部1号館2階231号室)

 

 

【お問い合わせ】

東京大学 物性研究所 計算物質科学研究センター(ISSP-CCMS)
〒277-8581 千葉県柏市柏の葉5-1-5
TEL 047-7136-3279/ FAX 047-7136-3441
adm-office[at]cms-initiative.jp

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