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新機能デバイス・高性能材料のための産官学連携フォーラム 第2回会合

作者: shimoshikiryo 最終変更 2016年11月22日 15時02分
ポスト「京」プロジェクト重点課題(7) 「次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成」では、応用研究・開発への展開を目指し、「新機能デバイス・高性能材料のための産官学連携フォーラム」を立ち上げております。5月30日に開催されました第1回会合に引き続き、以下の要領で第2回会合を開催いたします。
日時 2016年11月14日
13時00分 から 18時40分 まで
連絡先名称
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第2回会合は、半導体デバイスにフォーカスして、ポスト「京」プロジェクト側のシミュレーションの仕事と、ポスト「京」プロジェクト以外からの実験のお仕事、さらには産業界でのデバイス開発の状況と計算・シミュレーションへの期待などについて、率直なディスカッションができればと考えております。プログラムは下記のようになっております。

事前登録をお願い申し上げます(当日参加も可能です)。

【開催概要】

日 時: 11月14日 (月) 13:00 - 18:40
会 場: 東京大学本郷キャンパス工学部6号館3階 367・373号室(セミナー室 A・D)
懇談会: プログラムの終了後、懇談会を開催します。懇談会に参加される方は、11月10日中に参加申し込み下さい。

【参加申込】

本イベントは終了しました。 http://post-k.cms-initiative.jp/events/regist/forum20161114/view

【旅費・交通費】

申し訳ございませんが、一般参加者の方への旅費支給は行っておりません。

 

【プログラム】 (敬称略)

13:00 - 13:20 RSDFTによるHigh Performance Computing と半導体材料への応用 岩田 潤一(東京大学)
13:20 - 14:00
非平衡グリーン関数法と第一原理RSDFT法によるナノワイヤトランジスタのデバイスシミュレーション
森 伸也,美里劫 夏南 (大阪大学),岩田 潤一,押山 淳(東京大学)
14:00 - 14:20 量子流体モデルによる新材料・新構造MOSFETシミュレーション 鍾 菁廣、小田中 紳二 (大阪大学)
14:20 - 15:00 研究開発とシミュレーション (仮題) 福島 伸 (東芝)
15:00 - 15:10 Break
15:10 - 15:30 SiC酸化と界面欠陥シミュレーション 松下 雄一郎 (東京大学
15:30 - 16:10 SiC半導体:材料・デバイス研究の現状と計算科学への期待 木本 恒暢(京都大学)
16:10 - 16:30 ディスカッション
16:30 - 17:00 GaN MOVPE成長:第一原理計算と流体力学のマルチフィジックス・マルチスケールシミュレーションによる融合 白石 賢二 (名古屋大学)
17:00 - 17:40 THVPEによるInGaNおよびGaN成長 纐纈 明伯 (東京農工大学)
17:40 - 18:20 窒化物半導体:材料・デバイス研究の現状と計算科学への期待 葛原 正明 (福井大学)
18:20 - 18:40 ディスカッション
18:45 - 20:30 懇談会

 

 

【参加企業募集中】

「新機能デバイス・高性能材料のための産官学連携フォーラム」設立趣意書
参加をご希望される企業の方は下記にご連絡ください。


【お問い合わせ】

東京大学大学院工学系研究科
新機能デバイス・高性能材料のための産官学連携フォーラム事務局

受付窓口:東京大学 物性研究所 計算物質科学研究センター(ISSP-CCMS)
〒277-8581 千葉県柏市柏の葉 5-1-5
TEL 04(7136)3279 / FAX 04(7136)3441
email adm-office[at]cms-initiative.jp
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